單晶金剛石的層流等離子體的制備方法
關(guān)鍵詞 單晶 , 金剛石|2012-03-06 15:09:26|行業(yè)專利|來源 中國磨料磨具網(wǎng)
摘要 申請人:中中國科學(xué)院研究生院專利號:CN102230216A一種單晶金剛石的層流等離子體的制備方法,屬于單晶金剛石制備技術(shù)領(lǐng)域。通過調(diào)控等離子體的流體特性,構(gòu)建出穩(wěn)定的層流等離子體...
申請人:中中國科學(xué)院研究生院
專利號:CN102230216A
一種
單晶金剛石的層流等離子體的制備方法,屬于單晶金剛石制備技術(shù)領(lǐng)域。通過調(diào)控等離子體的流體特性,構(gòu)建出穩(wěn)定的層流等離子體邊界層,使單晶金剛石能夠在大尺寸襯底上進行穩(wěn)定生長。從而避免當前直流等離子體沉積單晶金剛石的多晶化和小尺寸襯底的問題。優(yōu)點在于提供了一條適合采用大尺寸籽晶、穩(wěn)定制備單晶金剛石的途徑,使單晶金剛石穩(wěn)定生長區(qū)尺寸在等離子體運動軸線方向達到7cm,并有效抑制了單晶生長表面的多晶化。
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